半導(dǎo)體晶圓/芯片的紫外曝光

• 應(yīng)用場(chǎng)景：在制造集成電路時(shí)，通過紫外光將掩膜版上的圖形精確轉(zhuǎn)移到涂有光刻膠的晶圓上。

• 均勻性的核心作用：

• 保證線寬一致性：光強(qiáng)不均勻會(huì)導(dǎo)致晶圓不同區(qū)域的光刻膠接受的光能量不同。能量高的區(qū)域線條可能被過度曝光而變細(xì)，能量低的區(qū)域則可能曝光不足而變粗。這會(huì)造成同一芯片上乃至芯片間的關(guān)鍵尺寸（CD）不一致，嚴(yán)重影響芯片的性能和良率。

• 控制生產(chǎn)效率：均勻性差意味著必須用更高的總能量來(lái)確保最弱區(qū)域的膠也能充分反應(yīng)，這反而會(huì)過度曝光其他區(qū)域，并可能降低產(chǎn)能。

• 對(duì)均勻性的要求：極致。在先進(jìn)的半導(dǎo)體光刻機(jī)中，均勻性是核心指標(biāo)，要求達(dá)到 ±1%~2% 的驚人水平。

• 解決方案：采用最先進(jìn)的高均勻性UVLED曝光系統(tǒng)，結(jié)合復(fù)雜的光學(xué)均化器和實(shí)時(shí)能量監(jiān)控系統(tǒng)，確保晶圓表面的每一寸都接收到完全一致的光能量。